博尼仕高纯铝溅射靶材采用先进粉末冶金工艺制备，纯度可达99.999%（5N）以上，晶粒尺寸均匀细小（＜100μm），织构可控。产品广泛应用于集成电路金属化、平板显示TFT电极以及光伏电池导电层等PVD溅射工艺。
• 纯度等级：4N、4N5、5N 可选
• 晶粒尺寸：≤80μm，保证溅射速率稳定
• 致密度：≥99.5%，孔隙率极低
• 尺寸范围：直径最大450mm，厚度3-25mm
• 背板绑定：支持In焊、Sn焊及扩散焊等多种方式
适用于8英寸及12英寸晶圆金属化层沉积，覆盖Al、AlSi、AlCu等多种合金体系。已在国内外多家主流晶圆厂成熟量产线上验证通过，溅射寿命长，颗粒污染控制优异。
每批次产品附带完整COA报告，包括GDMS全元素分析、晶粒金相图、尺寸公差检测及溅射测试数据。我们通过ISO 9001及IATF 16949质量管理体系认证。